Système de mesure pour wafer
d'effet Kerroptiqueà laser

Système de mesure pour wafer - Xiamen Dexing Magnet Tech. Co., Ltd. - d'effet Kerr / optique / à laser
Système de mesure pour wafer - Xiamen Dexing Magnet Tech. Co., Ltd. - d'effet Kerr / optique / à laser
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Caractéristiques

Grandeur physique
d'effet Kerr
Technologie
optique, à laser, magnétique
Mode de fonctionnement
automatique
Produit mesuré
pour wafer
Configuration
vertical
Autres caractéristiques
sans contact

Description

Grâce à l'effet Kerr magnéto-optique poloïdal (MOKE), les propriétés magnétiques des piles de plaquettes sont détectées rapidement et globalement. La mesure sans contact évite d'endommager la plaquette par la caractérisation magnétique traditionnelle et peut être appliquée à la détection d'échantillons avant et après le modelage. Wafer Moke peut fournir un champ magnétique vertical allant jusqu'à 2,5T/1,3T dans le plan, et le champ magnétique puissant peut induire le retournement de la couche libre, de la couche de référence et de la couche épinglée de la pile de films anisotropes magnétiques à accès aléatoire (MRAM) ; Une sensibilité de détection Kerr ultra-élevée, qui permet de caractériser les changements magnétiques subtils de différentes couches de film en même temps. La combinaison de la détection laser point par point et de l'imagerie par balayage permet de créer rapidement une carte globale des propriétés magnétiques des plaquettes de silicium, ce qui facilite l'optimisation des processus et le contrôle du rendement. Indicateurs de performance et avantages ▹ Taille de l'échantillon : prend en charge les tests de plaquettes jusqu'à 12 pouces et est rétrocompatible, prend en charge les tests de fragments ; ▹Champ magnétique : le champ magnétique vertical maximal est meilleur que ±2,5 T, et la résolution du champ magnétique est de 1 μT ; ▹Sensibilité de la détection magnétique : le degré de détection de l'angle de rotation de Kerr est meilleur que 0,3 mdeg (RMS), adapté à la caractérisation magnétique des empilements de films multicouches ; ▹Précision de positionnement de la répétition de l'échantillon : meilleure que ±1 μm, gigue statique ≤±0,25 μm. Fonctions et scénarios d'application ▹Mesure de la boucle d'hystérésis verticale des empilements de MRAM et des réseaux de dispositifs (Polar Kerr pour les MRAM) ; ▹Mesure de la boucle d'hystérésis verticale des supports de stockage magnétiques tels que les disques (Polar Kerr pour PMR Disk) ;

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