Système de test de facteur de capacité

pour semiconducteursMOSFETmodulaire

Système de test de la caractéristique C-V d'un dispositif de puissance à semi-conducteur Les mesures de capacité-tension (C-V) sont largement utilisées pour mesurer les paramètres des semi-conducteurs, en particulier les structures MOS CAP et MOSFET. La capacité de la structure MOS (métal-oxyde-semiconducteur) est une fonction de la tension appliquée. La courbe de variation de la capacité du MOS en fonction de la tension appliquée est appelée courbe C-V (ou caractéristique C-V). Le test de la courbe C-V permet de déterminer facilement l'épaisseur de la couche de dioxyde de silicium dox, la concentration de dopage du substrat N, la densité de surface de charge mobile Q1 dans la couche d'oxyde et la densité de surface de charge fixe Qfc, ainsi que d'autres paramètres. -Large gamme de fréquences : la gamme de fréquences est de 10Hz~1MHz, et les points de fréquence continue sont réglables les points de fréquence continue sont réglables ; -Haute précision et large gamme : plage de polarisation de 0V à 3500V, avec une précision de 0.1% ; -Test CV intégré : Logiciel de test CV automatisé intégré, comprenant de multiples fonctions de test -telles que C-V (capacité-tension), C-T (capacité-temps), C-F (capacité-fréquence), etc ; -Compatible avec les tests IV : prend en charge les tests des caractéristiques de courant de rupture et de fuite tests ; -Dessin de courbe en temps réel : L'interface du logiciel affiche directement les données de test et les courbes pour une visualisation facile l'interface logicielle affiche directement les données d'essai et les courbes pour une visualisation aisée ; -Forte évolutivité : Le système adopte une conception modulaire et peut être adapté de manière flexible en fonction des besoins en fonction des besoins ;