Système de test pour l'industrie électronique PMST

pour semiconducteursMOSFETpour IGBT

PMST Power Device Analyzer Static Test System for MOSFET BJT IGBT and SiC GaN Semiconductors (Système de test statique pour MOSFET BJT IGBT et semi-conducteurs SiC GaN) Le système de test des paramètres statiques des dispositifs de puissance (PMST) intègre diverses fonctions de mesure et d'analyse. Il peut mesurer avec précision les paramètres statiques des dispositifs de puissance (MOSFET, BJT, IGBT, etc.), la tension pouvant atteindre 3,5kV et le courant 6000A.Le système peut mesurer les paramètres statiques des dispositifs de puissance de différents types de boîtiers et possède des caractéristiques de tension et de courant élevées, une mesure précise au niveau uΩ et une capacité de mesure du courant au niveau pA. Il prend en charge la mesure de la capacité de jonction des dispositifs de puissance en mode haute tension, telle que la capacité d'entrée, la capacité de sortie, la capacité de transfert inverse, etc. -Tension maximale : 3500V, extensible à 10kV. -Courant important jusqu'à 6000A (plusieurs modules en parallèle). -Courant de fuite de nA, résistance conductrice de mu Ω. -Précision de mesure de 0,1 %. -Configuration modulaire permettant d'ajouter ou d'améliorer les unités de mesure. -Le test est très efficace, la commutation est automatique et le test se fait en une seule touche. -L'interface graphique PC permet à l'utilisateur d'effectuer le test après une configuration simple. -Large gamme de températures, compatible avec les tests à température normale et à haute température, le module de contrôle de la température est optionnel. -Le module de contrôle de la température est optionnel et peut également être contrôlé conjointement avec un thermostat tiers. -Les données de test peuvent être exportées. Il est possible d'exporter les données de test. Il est possible d'exporter automatiquement les données des résultats de test, au format EXCEL. -Compatible avec différents paquets, l'appareil est conçu sur mesure en fonction des exigences de l'essai.