Détecteur à semi-conducteur PVMI-2TE-10,6
IRcompactrobuste

détecteur à semi-conducteur
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Caractéristiques

Technologie
à semi-conducteur, IR
Autres caractéristiques
compact, robuste, à refroidissement thermo-électrique

Description

2.0 - 13:0 µm, refroidissement thermoélectrique à deux étages, immersion optique, jonction multiple Le PVMI-2TE-10.6 est un détecteur infrarouge à jonction multiple à deux étages, refroidi thermoélectriquement, basé sur une hétérostructure sophistiquée de HgCdTe pour une meilleure performance et stabilité, immergé optiquement afin d'améliorer les paramètres de l'appareil. Le détecteur est optimisé pour une performance maximale sur λopt = 10.6 μm. Il est particulièrement utile comme détecteur de grande surface active fonctionnant dans une plage spectrale de 2,0 à 13,0 µm. La fenêtre calée à 3°, recouverte d'un revêtement anti-reflet en séléniure de zinc (wZnSeAR), empêche les effets d'interférence indésirables. Demandes : - Gamme spectrale de 2,0 à 12,0 µm - Refroidissement thermoélectrique à deux étages - Application de la technologie des microlentilles par hyperhémimmersion - Pas de parti pris nécessaire - Pas de bruit en 1/f - Sensible à la polarisation du rayonnement IR Paramètre : PVMI-2TE-10,6 Matériel : MCT Tapez : Jonction multiple Immersion : Immersion Refroidissement : En deux étapes Longueur d'onde/ λopt/ µm : 10,6 Paquet : TO8, TO66 Fenêtre : calée, revêtue de ZnSe AR Détectivité/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-1 : ≥1,0x109 Constante de temps/τ/ns : ≤3

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