Détecteur optique PV-4TE-3,4

à semi-conducteurdynamiqueIR

2.2 - 3,6 µm, refroidissement thermoélectrique en quatre étapes Le PV-4TE-3.4 est un détecteur photovoltaïque IR à quatre étages refroidi thermoélectriquement, basé sur une hétérostructure HgCdTe sophistiquée pour une performance et une stabilité optimales. Le dispositif est optimisé pour une performance maximale à l'adresse λopt = 3.4 μm. La longueur d'onde de coupure peut être optimisée sur demande. Le biais inverse Vb peut augmenter de manière significative la vitesse de réponse et la gamme dynamique. Il en résulte également une amélioration des performances aux hautes fréquences, mais le bruit en 1/f qui apparaît dans les dispositifs polarisés peut réduire les performances aux basses fréquences. La fenêtre en saphir calé à 3° (wAl2O3) empêche les effets d'interférences indésirables. Caractéristiques : - Haute performance dans le domaine spectral 2,2 - 3,6 µm - Refroidissement thermoélectrique à quatre étages - Pas de parti pris nécessaire - Pas de bruit en 1/f Paramètre : PV-4TE-3,4 Matériel : MCT Tapez : Photovoltaïque Immersion : Non-immersion Refroidissement : Quatre étapes Longueur d'onde/λoptµm : 3,4 Paquet : TO8, TO66 Fenêtre : Al2O3 calé Détectivité/ D∗/ m⋅Hz1/2⋅W-1 : ≥1,0x1011 Constante de temps/ τ /ns : ≤200