1.0 - 10,2 µm, refroidissement thermoélectrique en quatre étapes, immersion optique
Le PCI-4TE-9 est un détecteur photoconducteur IR à quatre étages refroidi thermoélectriquement, basé sur une hétérostructure HgCdTe sophistiquée pour une meilleure performance et stabilité, immergé optiquement afin d'améliorer les paramètres de l'appareil. Le détecteur est optimisé pour une performance maximale à l'adresse λopt = 9.0 μm. La longueur d'onde de coupure est limitée par la transmittance du GaAs (~0,9 µm). L'appareil doit fonctionner en mode de lecture optimal de la tension de polarisation et du courant. Les performances aux basses fréquences sont réduites en raison du bruit en 1/f. Une fenêtre calée à 3°, recouverte d'un revêtement anti-reflet en séléniure de zinc (wZnSeAR), empêche les effets d'interférences indésirables.
Caractéristiques :
- Haute performance dans le domaine spectral 1,0 - 10,2 µm
- Refroidissement thermoélectrique à quatre étages
- Application de la technologie des microlentilles par hyperhémimmersion
- Longue durée de vie et MTBF
- Stabilité et fiabilité
- 1/f bruit
Paramètre : PCI-4TE-9
Matériel : MCT
Tapez : Photoconducteur
Immersion : Immersion
Refroidissement : Quatre étapes
Longueur d'onde/ λopt/ µm : 9
Paquet : TO8, TO66
Fenêtre : calée, revêtue de ZnSe AR
Détectivité/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-1 : ≥1,0x1010
Constante de temps/ τ/ ns : ≤80
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