Système MBE GENxcel R&D

GENxcel R&D Système MBE Couches épitaxiales de haute qualité sur des substrats jusqu'à 4" de diamètre Le nouveau système primé GENxcel™ s'étend sur le GENxplor™, le système MBE le plus vendu depuis son lancement en août 2013, avec une croissance épitaxiale de haute qualité sur des substrats simples de 4" comparé aux capacités 3" du système GENxplor. Le système GENxcel est doté d'un système de transfert manuel facile à utiliser, de 12 ports source et d'une électronique moderne entièrement intégrée dans un cadre unique pour une efficacité maximale en laboratoire Couches épitaxiales de haute qualité sur des substrats jusqu'à 4" de diamètre L'architecture unique à cadre unique améliore la facilité d'utilisation, offre un accès pratique aux sources et améliore la facilité d'entretien Conception tout-en-un efficace combinant un système manuel et une électronique embarquée pour un gain de place de laboratoire de 40 % par rapport aux autres systèmes MBE Idéal pour la recherche de pointe sur une grande variété de matériaux, y compris le GaAs, les nitrures et les oxydes Le logiciel Molly® intègre l'écriture facile des recettes, le contrôle automatisé de la croissance et l'enregistrement permanent des données En option : Nova™ Chauffage de substrat à ultra-haute température pour des performances éprouvées à 1850° Évolutivité directe vers les systèmes MBE GEN20™, GEN200® et GEN2000®