La technologie des réacteurs à une seule tranche permet la mise au point de dispositifs de puissance efficaces à base de GaN
Le système MOCVD Power GaN MOCVD de Veeco est spécialement conçu pour l'industrie de l'électronique de puissance. Doté d'une plate-forme de réacteur à une seule tranche, capable de traiter des plaquettes de six et huit pouces, le système dépose des films de GaN de haute qualité pour la production de dispositifs électroniques de puissance très efficaces. Le réacteur à une seule tranche est basé sur la conception TurboDisc® de Veeco avec une technologie révolutionnaire, notamment les nouvelles technologies IsoFlange™ et SymmHeat™ qui assurent un flux laminaire homogène et un profil de température uniforme sur toute la tranche. Les clients peuvent facilement transférer les processus des systèmes K465i™ et MaxBright™ de Veeco vers la plate-forme Propel Power GaN MOCVD.
Excellente uniformité du film, rendement et performance de l'appareil
Longue durée de campagne et faibles défauts de particules pour un rendement et une flexibilité exceptionnels
Des cycles d'apprentissage rapides accélèrent la transition de la R&D en GaN-on-Si vers la fabrication en gros volume
Conception modulaire pour faciliter la configuration, l'utilisation et la maintenance
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