Système de mesure de dimension critique MT3000 VIS/UV

optiquerobotisépour wafer

Superposition La superposition est un processus qui permet d'aligner la couche supérieure sur la couche inférieure. L'erreur de superposition est définie comme l'écart entre ces deux couches. La mesure de l'erreur de superposition est un processus d'imagerie qui consiste à calculer l'écart sur deux marques de superposition différentes, généralement générées par des processus différents et composées de matériaux différents. Pour la mesure des superpositions, on peut utiliser des boîtes dans des boîtes, des cadres dans des cadres, des barres en L, des cercles dans des cercles, des croix dans des croix ou des structures personnalisées. Dimension critique La mesure optique est une technique de mesure sans contact, non destructive, précise et rapide. La largeur de la structure peut être calculée en extrayant les informations d'intensité des images. Les images d'intensité doivent être traitées pour éviter les interférences dues au bruit ou à la déformation. Le système de métrologie de TZTEK permet d'éliminer ces interférences. Pour une largeur de structure inférieure à 0,7 μm, la lumière UV peut être appliquée. Épaisseur du film Le système est conçu pour mesurer l'épaisseur d'un film diélectrique transparent ou semi-transparent jusqu'à trois couches. La fonction d'étalonnage automatique est intégrée. caractéristiques principales -Mesure des dimensions critiques, recouvrement -Personnalisation possible pour OC, SMIF et FOUP -Disponible pour la taille de wafer 200/300 mm et la combinaison -Lumière visible et lumière UV en option -SECS/GEM