Le système Minilock ALD a été conçu pour permettre aux chercheurs de faire croître des films de dépôt de couches atomiques en mode thermique ou plasma pour des substrats jusqu'à 300 mm de diamètre. Son encombrement réduit et sa conception robuste en font un outil idéal pour la recherche et les environnements de lignes pilotes. Une électrode polarisée est standard, qui peut être utilisée pour modifier les propriétés du film.
En conservant les mêmes composants de base, il est très facile d'évoluer vers une plate-forme de cluster de production.
Des procédés standard ont été développés pour différents matériaux. Elle s'appuie sur plus de 25 ans d'expérience dans le développement rapide de procédés.
Caractéristiques du système :
Contrôle par PLC et écran tactile
Source de plasma à couplage inductif (ICP)
Electrode polarisée
Livraison de précurseurs à couplage étroit (max 8)
Mandrin de 50°C à 400°C
4 Points d'entrée des précurseurs
400l/s Maglev turbo
Verrouillage de la charge sous vide
Options :
Source de micro-ondes (Par rapport à l'ICP, un plasma à micro-ondes à distance produit une plus faible teneur en ions énergétiques, et le flux de radicaux générés peut produire beaucoup moins de dommages au substrat)
Procédés PECVD
Compatible avec les outils de cluster
600°C Electrode en acier inoxydable
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