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Matrice de transistors de commutation TBD62003AFG
SMDen silicium

Matrice de transistors de commutation - TBD62003AFG - Toshiba America Electronics Components - SMD / en silicium
Matrice de transistors de commutation - TBD62003AFG - Toshiba America Electronics Components - SMD / en silicium
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Caractéristiques

Technologie
de commutation
Autres caractéristiques
en silicium, SMD
Courant

500 mA

Tension

50 V

Description

Les séries TBD62003A et TBD62004A sont des réseaux de transistors DMOS à 7 circuits. Ils disposent d'une diode de serrage pour la commutation de charges inductives intégrée dans chaque sortie. Veuillez faire attention aux conditions thermiques pendant l'utilisation. Nombre de circuits - 7 Produit(s) compatible(s) RoHS (#) - Disponible(s) Informations sur le boîtier Nom du boîtier Toshiba - SOP16-P-225-1.27 Broches - 16 Montage - Montage en surface

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Catalogues

* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.