Meule diamantée pour le meulage grossier et fin des tranches de SiC avec une durée de vie plus longue et un coût raisonnable.
*Matériaux de travail : Plaquette de semi-conducteur (SiC, GaN, GaAs, LT/LN)
*Application : Broyage de plaquettes / Broyage arrière (broyage grossier et fin)
[Spécifications]
*Pour le meulage grossier
Type de diamant : Diamant synthétique
Liaison : Liaison vitrifiée poreuse
Taille du grain abrasif : Jusqu'à #4000
Taux de concentration : Jusqu'à 120
Largeur des dents : 2 - 4mm
Hauteur des dents : Jusqu'à 6 mm
Diamètre extérieur : Jusqu'à 350 mm
*Pour le meulage fin
Type de diamant : Diamant synthétique
Liaison : Liaison vitrifiée poreuse
Taille du grain abrasif : #5000 - #12000
Taux de concentration : Jusqu'à 120
Largeur des dents : 2 - 4mm
Hauteur des dents : Jusqu'à 6 mm
Diamètre extérieur : Jusqu'à 350 mm
Notre meule à liant vitrifié poreux "VEGA" présente à la fois un diamètre de pore plus grand et une porosité plus élevée que les meules conventionnelles, ce qui maximise les performances de mordant pour les matériaux de travail
Elle est particulièrement adaptée au meulage des plaquettes de SiC et peut meuler des plaquettes de SiC de 6" sans dressage. L'excellente résistance à l'usure augmente le nombre de plaquettes pouvant être usinées par meule et contribue à la réduction des coûts d'usinage des plaquettes.
---