Largement utilisé dans les circuits intégrés à semi-conducteurs, y compris la découpe et le découpage de diodes de passivation en verre à simple et double mésa, la découpe et le découpage de thyristors à simple et double mésa, l'arséniure de gallium, le nitrure de gallium, la découpe et le découpage de circuits intégrés.
Principe de la gravure laser picoseconde (découpe en rafale dans un matériau transparent) :
Grâce au système optique de Bessel ou DOE, le faisceau laser gaussien est comprimé à la limite de la diffraction. Sous l'action du faisceau laser avec un taux de répétition élevé de 100-200KHz et une largeur d'impulsion très courte de 10ps, le diamètre du spot focalisé est aussi petit que 3μm, et il a une puissance de pointe très élevée. Densité, lorsqu'il est focalisé à l'intérieur du matériau transparent, il vaporise instantanément le matériau dans la zone pour générer une zone de vaporisation, et diffuse vers les surfaces supérieure et inférieure pour former des fissures non linéaires, réalisant ainsi la découpe et la séparation du matériau. Les matériaux transparents courants, notamment le verre, le saphir et les tranches de silicium semi-conducteur (le rayonnement infrarouge est capable de transmettre les matériaux en silicium semi-conducteur), conviennent au gravage laser picoseconde et femtoseconde.
Caractéristiques
Multiples modes de fonctionnement du laser et mise en forme du faisceau pour assurer la qualité et l'efficacité de l'incision
La technologie unique de correction du front d'onde garantit un usinage de haute précision et une grande régularité
Positionnement automatique, mise au point automatique, détection automatique pour assurer le rendement de la production
Elle peut réaliser la sélection automatique ou manuelle de grands graphiques, et la précision de l'épissure est aussi élevée que ±1um
Support du film d'ourdissage, film de transfert TAIKO
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