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Transistor IGBT STGP8NC60KDde commutation
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Caractéristiques
- Type
- IGBT
- Technologie
- de commutation
- Courant
8 A
- Tension
600 V
Description
Cet IGBT utilise le processus PowerMESH™ avancé, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant.
Toutes les caractéristiques
Faible chute de tension à l'état passant (VCE(sat))
Diode antiparallèle à récupération très douce et très rapide
Rapport CRES / CIES inférieur (pas de susceptibilité de conduction croisée)
Temps de résistance au court-circuit de 10µs
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Catalogues
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