Alignement XY thêta des masques d'exposition aux UV | Système de positionnement de haute précision pour l'exposition des plaquettes dans une atmosphère d'azote sec
Assemblages de précision
786001:002.26
Alignement XY thêta des masques d'exposition aux UV | Système de positionnement de haute précision pour l'exposition des wafers dans une atmosphère d'azote sec - Precision Assemblies
alignement µm pour la microstructuration dans des conditions extrêmes
Ce système de masque à 3 axes est spécialement développé pour l'alignement de haute précision des masques d'exposition pour la lithographie UV. Ce système de positionnement possède trois axes linéaires à cinématique parallèle : deux en X et un en Y. Les deux axes verticaux génèrent à la fois une course verticale (mouvement égal) et une rotation (mouvement opposé). Il permet ainsi un positionnement linéaire et rotatif de haute précision de masques de l'ordre du nanomètre sous rayonnement ultraviolet ainsi que dans des atmosphères d'azote ultra-sèches.
Exposition de wafers aux UV de haute précision
- Idéal pour la lithographie EUV automatisée et à haute résolution
- Alignement XY thêta très fin des masques d'exposition jusqu'à 0,03 µrad
- Convient aux UV ainsi qu'à l'atmosphère d'azote pur ultra-sèche et sans oxygène
- Minimisation du rayonnement dispersé grâce à un concept intégré de lubrification et de revêtement
- Concept d'entretien flexible et intégré, le système étant déplacé latéralement par rapport à l'axe optique dans le sens de la longueur
Possibilité d'extension :
- Diverses trajectoires de déplacement
- Choix des matériaux et lubrification adaptés à l'application
- Solutions individuelles pour l'intégration dans l'application spécifique du client
- Version pour salle blanche ISO 14644-1 (jusqu'à la classe 1 sur demande)
---