Coucheuse pilote PECVD
Candidature
La coucheuse pilote PECVD est destinée à produire des piles p-i-n de silicium amorphe hydrogéné sur des feuilles métalliques. La coucheuse est utilisée comme un outil d'expérimentation pour l'optimisation du dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma de revêtements fonctionnels et la production de matériaux d'essai.
Ingénierie et technologie
La coucheuse pilote PECVD est une installation de type rouleau à rouleau conçue pour le revêtement sous vide sur une face de feuilles métalliques pouvant atteindre 350 mm de large.
Le revêtement est déposé par une décharge RF. La zone de dépôt est constituée d'une électrode RF à l'intérieur d'un volume étanche aux gaz. Les zones de dépôt sont exemptes de toute contamination.
Le substrat est préchauffé avant le dépôt du revêtement, chauffé pendant le processus de dépôt et refroidi après le revêtement. Les gradients de température sur la feuille ne dépassent pas 4 oC/cm. La température sur les dispositifs électriques, la plaque incurvée et le substrat est surveillée à l'aide de thermocouples et de capteurs IR.
Le substrat est supporté mécaniquement par une plaque courbe chauffée. La plaque incurvée est constituée de plusieurs segments ayant un rayon de courbure de 7,5 mètres.
La coucheuse est équipée d'un système d'enroulement symétrique réversible qui permet d'optimiser la tension et la manipulation des feuilles sans les rayer ni les froisser.
Le système de pompage se compose de pompes mécaniques de surpression et de pompes de dégrossissage à sec.
La pression dans chaque zone de dépôt peut être modifiée indépendamment grâce à des vannes d'étranglement placées dans les conduites de la pompe.
Le système de contrôle surveille et contrôle tous les paramètres de processus spécifiés.
Fiche technique
Substrat : feuilles de métal
Largeur du support : 350 mm
Epaisseur du support : 50 ... 100 µm
Revêtement : a-SiH
Diamètre maximal du rouleau : 400 ... 550 mm
Zones de dépôt : 8 décharges capacitives RF
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