Substrat : silicium, saphir, etc.
Longueur d'onde centrale : 4260±30nm
Largeur totale à mi-hauteur : 180±20nm
Transmittance de pointe (Tp) : ≥80 %
Longueur d'onde de coupure : de l'UV à 11um
Blocage : Tavg≤1%
Taille : 2.9-150mm (personnalisé)
Qualité de surface : 60-40
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