Alimentation électrique DC/DC EMC

avec protection pour surchargesavec protection contre les surintensitésavec protection contre la surchauffe

Les alimentations haute tension Wisman de la série EMC sont des alimentations haute tension multi-sorties complètes pour les faisceaux d'ions focalisés. Les applications typiques comprennent la microscopie électronique à transmission et à balayage, l'analyse des semi-conducteurs, le fraisage et la réparation des têtes de lecteur de disques optiques, la gravure par faisceau d'ions et la lithographie par faisceau d'ions focalisés. L'approche modulaire permet de configurer facilement les composants individuels dans un ensemble commun monté en rack sur un grand châssis. Les circuits d'interface, de logique et de contrôle sont fabriqués à l'aide d'une technologie de montage en surface afin de minimiser les coûts et la taille. Alimentation accélératrice intégrée, alimentation du filament, alimentation de l'absorbeur, alimentation du suppresseur et alimentation de la lentille. Faible ondulation de sortie, excellent rapport d'accord, stabilité, dérive de température et précision. Les modules de haute précision de la série EMC sont proposés à un prix compétitif et sont idéaux pour les applications OEM. APPLICATIONS： Microscope électronique à balayage à émission de champ Alimentation du faisceau d'électrons Analyse, traitement et réparation des semi-conducteurs Gravure par faisceau d'ions Lithographie par faisceau d'ions focalisés Paramètres techniques： Alimentation accélérée Courant de sortie : 100μA, 300μA Ondulation : 100μA:75 mV P-P，de 0,1 HZ à1MHZ 300μA:120 mV P-P，de 0,1 Hzà1MHZ Rapport d'ajustement d'entrée： Variation d'entrée +/-10% pour 100mV Taux d'ajustement de la charge : ± 0,01%, tension maximale, variation à pleine charge Stabilité： 1.5V/10 heures après 2 heures de préchauffage Coefficient de température : 25 PPM / °C Alimentation du filament : Ondulation : Rapport de réglage de la charge : ± 0,1 %, tension maximale, variation à pleine charge Rapport d'ajustement de ligne : variation de +/-10% à 5mA