Machine de dépôt de couches minces PD-1022/UD

Films de silicium amorphe intrinsèque et dopé. Procédés Des gaz précurseurs ionisés déposent des couches minces sur un substrat. - Allumage RF rapide avec une puissance de réflexion minimale pour un dépôt de film uniforme et stable. - Alimentation multiple mature et stable en technologie RF compatible avec les chambres de traitement les plus grandes. - Gaz réglable en continu entre le diffuseur et le substrat, offrant des possibilités de traitement flexibles. - Débit élevé pour un coût relativement faible, avec la possibilité de concevoir des produits sur mesure. - Conception modulaire pour faciliter l'installation et la maintenance, ainsi que le protocole de sécurité le plus élevé, de la conception à la fabrication.