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Module transistors IGBT RT50PI120T6H-M
de commutation

Module transistors IGBT - RT50PI120T6H-M - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de commutation

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Caractéristiques

Type: IGBT
Technologie: de commutation

Description

Caractéristiques : - IGBT Field Stop Trench Gâte - Résistance aux courts-circuits> 1Ops - Faible tension de saturation - Faible perte de commutation - Testé à 100% par RBSOA - (2x|c) - Faible inductance parasite - Sans plomb. Conforme aux exigences de la directive RoHS Applications : - Onduleurs industriels - Applications servo

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Ceci est une traduction automatique (voir l’original en anglais)

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