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Module transistors IGBT RTS600HF120T9H
de commutation

Module transistors IGBT - RTS600HF120T9H - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de commutation

Module transistors IGBT - RTS600HF120T9H - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de commutation

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Caractéristiques

Type: IGBT
Technologie: de commutation

Description

Caractéristiques : - Courant de court-circuit > 10ps - Faible tension de saturation : Vce(sat) = 1 -85V @ le = 600A , Tc=25'C - Faible perte de commutation - Testé à 100% RBSOA - (2*lc) - Faible inductance parasite - Sans plomb, conforme aux exigences de la directive RoHS Applications : - Convertisseurs haute puissance - Entraînements de moteurs - Systèmes UPS - Turbines éoliennes

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Ceci est une traduction automatique (voir l’original en anglais)

Catalogues

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RTS600HF120T9H IGBT Module

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