Module transistors IGBT RT75HF120T1VH-M
de commutation

Module transistors IGBT - RT75HF120T1VH-M - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de commutation
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Caractéristiques

Type
IGBT
Technologie
de commutation

Description

Caractéristiques : - IGBT Field Stop Trench Gâte - Résistance aux courts-circuits> 1Ops - Faible tension de saturation - Faible perte de commutation - Testé à 100% RBSOA (2*lc) - Faible inductance parasite - Sans plomb, conforme aux exigences de la directive RoHS Applications : - Machine à souder " Machine à découper - Placage Alimentation électrique* Chauffage par induction - SMPS, UPS

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