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MOSFET RVF4N90F/MJ

MOSFET - RVF4N90F/MJ - Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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Description

DESCRIPTION GÉNÉRALE Le RVF4N90F/MJ est un transistor à effet de champ MOS de puissance en mode d'amélioration de canal N qui est produit en utilisant la technologie VDMOS de structure F-Cell™ de Rongtec. La cellule à bande plane améliorée et la borne de l'anneau de protection améliorée ont été spécialement conçues pour minimiser la résistance à l'état de marche, fournir des performances de commutation supérieures et résister à des impulsions d'énergie élevée en mode avalanche et commutation. Ces appareils sont largement utilisés dans les alimentations AC-DC, les convertisseurs DC-DC et les drivers de moteurs PWM en pont H. CARACTÉRISTIQUES ♦Low portail payant ♦Low Crss ♦Fast Commutation ♦Improved dv/dtcapability

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