MOSFET en silicium RM110N06PK

Ce MOSFETs de Rongtech Industry(ShangHai) Inc,. La technologie avancée 6 pouces permet d'obtenir une résistance statique drain-source extrêmement faible RDS(on). Pour cette raison, ce MOSFET a une faible consommation d'énergie pendant l'application, ce qui améliore également la fiabilité et la durabilité. Caractéristiques : VDS=60V,ID=110A Rdson≦10mΩ @VGS=10V (Typ:7.0mΩ) Zone de fonctionnement sûre étendue Faibles capacités de transfert inverse test d'énergie d'avalanche à 100% par impulsion unique Application -Application de commutation de puissance -Contrôle de moteur CC - ONDULEUR