- Produits
- MOSFET en silicium
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
MOSFET en silicium RM60N10PA
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Caractéristiques
- Matériau
- en silicium
Description
Ce MOSFETs deRongtech Industry(ShangHai) Inc,. La technologie avancée 6 pouces permet d'obtenir une résistance statique drain-source RDS(on) extrêmement faible. Pour cette raison, ce MOSFET a une faible consommation d'énergie pendant l'application, ce qui améliore également la fiabilité et la durabilité.
Caractéristiques :
VDS=100V,ID=60A Rdson≦23mΩ @VGS=10V (Typ:18.0mΩ)
Zone de fonctionnement sûre étendue
Faibles capacités de transfert inverse
test d'énergie d'avalanche à 100% par impulsion unique
Application
-Application de commutation de puissance
-Contrôle de moteur CC
- ONDULEUR
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Catalogues
RM60N10PA
5 Pages
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Mosfet power semi conductors
* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.