Ce MOSFETs de Rongtech Industry(ShangHai) Inc,. La technologie avancée 6 pouces permet d'obtenir une résistance statique drain-source extrêmement faible RDS(on). Pour cette raison, ce MOSFET a une faible consommation d'énergie pendant l'application, ce qui améliore également la fiabilité et la durabilité.
Caractéristiques :
VDS=60V,ID=45A Rdson≦25mΩ @VGS=10V (Typ:20mΩ)
Zone de fonctionnement sûre étendue
Faibles capacités de transfert inverse
test d'énergie d'avalanche à 100% par impulsion unique
Application
-Application de commutation de puissance
-Contrôle de moteur CC
- ONDULEUR
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