Ce MOSFETs de Rongtech Industry(ShangHai) Inc,. La technologie avancée 6 pouces permet d'obtenir une résistance statique drain-source extrêmement faible RDS(on). Pour cette raison, ce MOSFET a une faible consommation d'énergie pendant l'application, ce qui améliore également la fiabilité et la durabilité.
Caractéristiques générales
-VDS=100V,ID=40A
Rdson≦42mΩ @VGS=10V (Typ:32mΩ)
-Zone de fonctionnement sûre étendue
-Faibles capacités de transfert inverse
-Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique de 100 %
Application
-Application de commutation de puissance
-Contrôle de moteur DC
- ONDULEUR
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