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MOSFET en silicium RM40N10PA

MOSFET en silicium - RM40N10PA - Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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Caractéristiques

Matériau
en silicium

Description

Ce MOSFETs de Rongtech Industry(ShangHai) Inc,. La technologie avancée 6 pouces permet d'obtenir une résistance statique drain-source extrêmement faible RDS(on). Pour cette raison, ce MOSFET a une faible consommation d'énergie pendant l'application, ce qui améliore également la fiabilité et la durabilité. Caractéristiques générales -VDS=100V,ID=40A Rdson≦42mΩ @VGS=10V (Typ:32mΩ) -Zone de fonctionnement sûre étendue -Faibles capacités de transfert inverse -Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique de 100 % Application -Application de commutation de puissance -Contrôle de moteur DC - ONDULEUR

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Ceci est une traduction automatique  (voir l’original en anglais)

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RM40N10PA
RM40N10PA
5 Pages

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