- Produits
- MOSFET en silicium
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
MOSFET en silicium RM20N10PA
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Caractéristiques
- Matériau
- en silicium
Description
Ce MOSFETs de Rongtech Industry(ShangHai) Inc,. La technologie avancée 6 pouces permet d'obtenir une résistance statique drain-source extrêmement faible RDS(on). Pour cette raison, ce MOSFET a une faible consommation d'énergie pendant l'application, ce qui améliore également la fiabilité et la durabilité.
Caractéristiques générales
-VDS=100V,ID=20A, Rdson≦70mΩ @VGS=10V (Typ:58mΩ)
-Zone de fonctionnement sûre étendue
-Faibles capacités de transfert inverse
-Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique de 100%
Application
-Application de commutation de puissance
-Commande de moteur CC
- ASI
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Catalogues
RM20N10PA
5 Pages
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Mosfet power semi conductors
* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.