MOSFET RVS20N65 series
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Description
RVS20N65F/S/PN est un MOSFET de puissance à haute tension en mode d'amélioration de canal N produit en utilisant la technologie DP MOS de Rongtech. Il permet d'obtenir de faibles pertes de conduction et de commutation. Il conduit les ingénieurs concepteurs à leurs convertisseurs de puissance avec un rendement élevé, une densité de puissance élevée et un comportement thermique supérieur. De plus, il est universel, c'est-à-dire qu'il convient aux topologies de commutation dure et douce.
CARACTÉRISTIQUES
♦20A, 650V, RosT,)=0.2i2@VGS=10V
fr.delaval.ch Technologie révolutionnaire de haute tension
♦Ultra frais d'entrée réduits
♦Periodic Classé avalanche
♦Extreme cote dv/dt
♦High Capacité de courant de crête
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Catalogues
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Mosfet power semi conductors
* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.