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Module transistors IGBT RTU200HF120FA2
de puissance

Module transistors IGBT - RTU200HF120FA2 - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de puissance

Module transistors IGBT - RTU200HF120FA2 - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de puissance

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Caractéristiques

Type: IGBT
Technologie: de puissance
Courant: 200 A
Tension: 1 200 V

Description

Caractéristiques : -1200V200A,VCE(sat)(typ.)=3,0V Vitesse de commutation ultra-rapide Excellente robustesse en court-circuit 62mm module demi-pont Applications générales : Les IGBT de Rongtech offrent une vitesse de commutation ultra-rapide pour des applications telles que le soudage, le chauffage inductif, les onduleurs et autres applications haute fréquence

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Ceci est une traduction automatique (voir l’original en anglais)

Catalogues

RTU200HF120FA2

7 Pages

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