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Module transistors IGBT RTK200HF120B

Module transistors IGBT - RTK200HF120B - Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,

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Caractéristiques

Type: IGBT
Courant: 200 A
Tension: 1 200 V

Description

Caractéristiques : -1200V200A,VCE(sat)(typ.)=2.1V -Baisse des pertes et augmentation de l'énergie Excellente robustesse en court-circuit 62mm module demi-pont Applications générales : Les IGBT de Rongtech offrent des pertes plus faibles et une énergie plus élevée pour des applications telles que les variateurs de vitesse à moteur et autres applications de commutation douce.

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Ceci est une traduction automatique (voir l’original en anglais)

Catalogues

RTK200HF120B

7 Pages

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