- Électricité - Électronique
- Composant Électronique
- Transistor IGBT
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Transistor IGBT RGW50N65F1Ade puissance
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Caractéristiques
- Type
- IGBT
- Technologie
- de puissance
- Courant
50 A
- Tension
650 V
Description
Les IGBT de Rongtech 650V offrent de faibles pertes de commutation, un rendement énergétique élevé et une grande robustesse aux avalanches pour le contrôle de mouvement, les applications solaires et les machines de soudage.
CARACTÉRISTIQUES
-Tension de claquage élevée jusqu'à 650V pour une meilleure fiabilité
-Technologie d'arrêt d'urgence :
>Commutation à grande vitesse
>Grande robustesse, stabilité en température
>Résistance aux courts-circuits - 5ps
>Faible VcEsat
>Facilité de commutation en parallèle grâce au coefficient de température positif en
VcEsat
Capacité d'avalanche améliorée
APPLICATION
-Alimentations sans coupure
Onduleur -Inverter
-Convertisseurs de soudage
-Applications PFC
-Convertisseur à fréquence de commutation élevée
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Catalogues
Autres produits Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Discrete IGBT & Module power semi conductors
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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.