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Transistor IGBT RGW40N120T1B
de puissance

Transistor IGBT - RGW40N120T1B - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de puissance

Transistor IGBT - RGW40N120T1B - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de puissance

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Caractéristiques

Type: IGBT
Technologie: de puissance
Courant: 40 A
Tension: 1 200 mV

Description

CARACTÉRISTIQUES -Tension de claquage élevée jusqu'à 1200V pour une meilleure fiabilité -Technologie d'arrêt d'urgence : >distribution très serrée des paramètres >grande robustesse, comportement stable en température >Tenue en court-circuit - 1 Ops >Grande robustesse, stabilité en température >Faible VcE(SAT) >Facilité de commutation en parallèle grâce au coefficient de température positif en VcE(SAT) -Capacité d'avalanche améliorée APPLICATION - Convertisseurs de fréquence - Entraînement moteur

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Ceci est une traduction automatique (voir l’original en anglais)

Catalogues

RGW40N120T1B 1200V /40A Trench Field Stop IGBT

RGW40N120T1B 1200V /40A Trench Field Stop IGBT

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