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Transistor IGBT RGW25N135F1Ade puissance
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Caractéristiques
- Type
- IGBT
- Technologie
- de puissance
- Courant
25 A
- Tension
1 350 V
Description
Les IGBT à tranchée Field Stop de Rongtech offrent de faibles pertes de commutation, un rendement énergétique élevé et une grande robustesse aux avalanches pour les applications à commutation douce telles que le chauffage inductif, le four à micro-ondes, etc.
CARACTÉRISTIQUES
-Tension de claquage élevée jusqu'à 1350V pour une meilleure fiabilité
-La technologie Trench-Stop offre :
>Une commutation à haute vitesse
>Robustesse élevée, stabilité en température
>Faible VcEsat
>Facilité de commutation en parallèle grâce à un coefficient de température positif dans le VcEsat
VcEsat
-Formes d'onde de coupure en courant doux
-Capacité d'avalanche améliorée
VCE:1350A
IC:25A
VCE(SAT) IC=25A : 2.0V
Application :
* Cuisson inductive
* Fours à micro-ondes inversés
* Convertisseurs résonants
* Applications de commutation douce
* Applications de commutation douce
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Catalogues
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Discrete IGBT & Module power semi conductors
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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.