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Module transistors IGBT RTS40FB120T5HB
de puissance

Module transistors IGBT - RTS40FB120T5HB - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de puissance

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Caractéristiques

Type: IGBT
Technologie: de puissance
Courant: 40 A
Tension: 1 200 V

Description

Court-circuit nominal>10jjs -Basse tension de saturation : Vce (sat) = 2.15V @ lc = 40A, Tc=25'C -Faible perte de commutation -100 % testé RBSOA (2*lc>>) -Inductance faible de l'égouttage -Sans plomb, conforme aux exigences en matière deRoHS Applications : -Onduleurs industriels -Applications Servo

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Ceci est une traduction automatique (voir l’original en anglais)

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