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Module transistors IGBT RT25PI120B9H
de puissance

Module transistors IGBT - RT25PI120B9H - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de puissance

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Caractéristiques

Type: IGBT
Technologie: de puissance
Courant: 10 A, 25 A
Tension: 1 200 V

Description

Caractéristiques Technologie IGBT -Trench + Filed Stop IGBT Capacité de court-circuit de -10ps -Versât) avec coefficient de température positif -Boîtier à faible inductance -Recouvrement inversé rapide et doux anti-parallèle FWD -Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC Applications typiques -Onduleur pour l'entraînement du moteur -Condition de l'air -Alimentation électrique ininterrompue

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Ceci est une traduction automatique (voir l’original en anglais)

Catalogues

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