Transistor HEMT GNP1070TC-Z

de puissancede commutationpar résistance

GNP1070TC-Z est un HEMT GaN de 650V qui a atteint la classe FOM (Ron*Ciss、Ron*Coss) la plus élevée de l'industrie. C'est un produit de la série EcoGaN™ qui contribue à l'efficacité de la conversion de puissance et à la réduction de la taille en utilisant au mieux la faible résistance ON et la commutation à grande vitesse. La fonction de protection ESD est intégrée pour une conception à haute fiabilité. En outre, les boîtiers très polyvalents offrent une excellente dissipation de la chaleur et facilitent le montage. Vue d'ensemble Ce produit offre les meilleures performances de l'industrie en termes de RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, un chiffre de mérite pour les HEMT GaN, ce qui se traduit par une plus grande efficacité dans les systèmes d'alimentation. Parallèlement, un élément de protection ESD intégré améliore la résistance à la rupture électrostatique jusqu'à 3,5 kV, ce qui se traduit par une plus grande fiabilité des applications. Les caractéristiques de commutation à grande vitesse des HEMT GaN contribuent également à une plus grande miniaturisation des composants périphériques. Exemples d'applications Idéal pour une large gamme de systèmes d'alimentation électrique dans les équipements industriels et les appareils grand public, y compris les serveurs et les adaptateurs CA