Transistor MOSFET SCT2H12NZ
de puissancede commutationen silicium

transistor MOSFET
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Caractéristiques

Type
MOSFET
Technologie
de puissance, de commutation
Autres caractéristiques
en silicium
Courant

3,7 A

Tension

1 700 V

Description

MOSFET de puissance à canal N en SiC (carbure de silicium). Faible résistance à l'enclenchement Vitesse de commutation rapide Longue distance de fuite Simple à piloter Plombage sans plomb ; conforme à la directive RoHS

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Autres produits ROHM Semiconductor

Silicon-carbide (SiC) Power Devices

* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.