MOSFET de puissance à canal N en SiC (carbure de silicium).
Faible résistance à l'enclenchement
Vitesse de commutation rapide
Longue distance de fuite
Simple à piloter
Plombage sans plomb ; conforme à la directive RoHS
* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.