Transistor IGBT en tranchée RGS80TS65DHR
pour les techniques automobiles

Transistor IGBT en tranchée - RGS80TS65DHR - ROHM Semiconductor - pour les techniques automobiles
Transistor IGBT en tranchée - RGS80TS65DHR - ROHM Semiconductor - pour les techniques automobiles
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Caractéristiques

Type
IGBT en tranchée
Autres caractéristiques
pour les techniques automobiles
Courant

40 A

Tension

650 V

Description

Les produits IGBT de ROHM contribueront aux économies d'énergie à haut rendement et à une large gamme d'applications à haute tension et à courant élevé. Faible tension de saturation collecteur-émetteur Temps de résistance aux courts-circuits de 8μs Qualifié selon AEC-Q101 FRD à récupération très rapide et douce intégré Placage au plomb sans plomb ; conforme à la directive RoHS

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Catalogues

* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.