Transistor IGBT RGS80TSX2DHR
pour les techniques automobiles

Transistor IGBT - RGS80TSX2DHR - ROHM Semiconductor - pour les techniques automobiles
Transistor IGBT - RGS80TSX2DHR - ROHM Semiconductor - pour les techniques automobiles
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Caractéristiques

Type
IGBT
Autres caractéristiques
pour les techniques automobiles
Courant

40 A

Tension

1 200 V

Description

RGS80TSX2DHR est un IGBT très fiable pour l'onduleur général pour l'automobile et l'industrie. Faible tension de saturation collecteur-émetteur Temps de résistance aux courts-circuits 10μs Qualifié selon AEC-Q101 Récupération très rapide et douce FRD intégrée Placage au plomb sans plomb ; conforme à la directive RoHS

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.