Transistor IGBT RGW00TS65CHR

de commutationen siliciumpour les techniques automobiles

La série RGWxx65C est un IGBT 650V avec une diode à barrière schottky SiC intégrée, qui réduit la perte de commutation à la mise sous tension. Il s'agit d'un produit conforme à la norme AEC-Q101. Il peut être utilisé en toute confiance, même dans des environnements difficiles tels que les chargeurs embarqués de véhicules électriques, les convertisseurs DC/DC, les conditionneurs d'énergie solaire et les onduleurs. Qualifié AEC-Q101 Faible tension de saturation collecteur-émetteur Faible perte de commutation et commutation douce Carbure de silicium SBD sans récupération intégré Placage au plomb sans plomb ; conforme à la directive RoHS