Transistor MOSFET SCT4013DR

de puissancede commutationen silicium

Le SCT4013DR est un MOSFET SiC qui contribue à la miniaturisation et à la faible consommation d'énergie des applications. Il s'agit d'un produit de 4ème génération qui atteint une faible résistance à l'enclenchement sans sacrifier la résistance aux courts-circuits. Il s'agit d'un boîtier à 4 broches avec une borne de source de pilotage qui permet d'optimiser les performances de commutation à grande vitesse qui sont une caractéristique des MOSFET SiC. Avantages du MOSFET SiC de 4ème génération de ROHM Cette série présente une réduction d'environ 40% de la résistance à l'état passant et d'environ 50% de la perte de commutation par rapport aux produits conventionnels. La tension grille-source de 15V facilite la conception des applications. Faible résistance à l'état passant Vitesse de commutation rapide Récupération inverse rapide Facile à mettre en parallèle Simple à piloter Placage de plomb sans plomb ; conforme à la directive RoHS