Module MOSFET de commutation BV1HB045EFJ-C

pour les techniques automobiles

Le BV1HB045EFJ-C est un commutateur high-side à 1 canal pour les applications automobiles. Il intègre une fonction de limitation de surintensité, une fonction de protection contre l'arrêt thermique, une fonction de détection de charge ouverte et une fonction de sortie ARRÊT à faible puissance. Il possède une fonction de détection du courant de charge de sortie. Fonction de détection de courant intégrée Double TSD® intégré (deux types de protection thermique intégrée) : Température de jonction et protection ΔTj qui détecte une augmentation soudaine de la température du Power-MOS) Qualifié AEC-Q100 (Grade 1) Fonction de protection contre les surintensités intégrée (OCP) Fonction de protection contre l'arrêt thermique intégrée (TSD) Fonction de détection de charge ouverte intégrée Fonction de désactivation de la sortie basse tension intégrée (UVLO) Sortie de diagnostic intégrée Commutateur MOSFET simple Nch à faible résistance à l'enclenchement Circuit de gestion de puissance monolithique avec unité de contrôle (CMOS) et MOSFET de puissance montés sur une seule puce