Le SCT4062KW7 est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Ses caractéristiques comprennent une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide.
Avantages du MOSFET SiC de 4ème génération de ROHM
Cette série présente une réduction d'environ 40% de la résistance à l'état passant et d'environ 50% de la perte de commutation par rapport aux produits conventionnels. La tension grille-source de 15V facilite la conception des applications.
Faible résistance à l'état passant
Vitesse de commutation rapide
Récupération inverse rapide
Facile à mettre en parallèle
Simple à piloter
Placage de plomb sans plomb ; conforme à la directive RoHS
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