Module transistors MOSFET SCT4026DW7

de commutationen silicium

Le SCT4026DW7 est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Ses caractéristiques comprennent une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide. Avantages du MOSFET SiC de 4ème génération de ROHM Cette série présente une réduction d'environ 40% de la résistance à l'état passant et d'environ 50% de la perte de commutation par rapport aux produits conventionnels. La tension grille-source de 15V facilite la conception des applications. Faible résistance à l'état passant Vitesse de commutation rapide Récupération inverse rapide Facile à mettre en parallèle Simple à piloter Placage de plomb sans plomb ; conforme à la directive RoHS