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MOSFET en carbure de silicium SCT4036KW7
en carbure de silicium

MOSFET en carbure de silicium - SCT4036KW7 - ROHM Semiconductor - en carbure de silicium
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Caractéristiques

Matériau
en carbure de silicium

Description

Le SCT4036KW7 est un MOSFET à tranchée en SiC (carbure de silicium). Il se caractérise par une résistance à la tension élevée, une faible résistance à l'enclenchement et une vitesse de commutation rapide. Avantages du MOSFET SiC de 4ème génération de ROHM Cette série présente une réduction d'environ 40 % de la résistance à l'enclenchement et d'environ 50 % de la perte de commutation par rapport aux produits conventionnels. La tension porte-source de 15V facilite la conception des applications. Faible résistance à l'enclenchement Vitesse de commutation rapide Récupération rapide de l'inversion Facile à mettre en parallèle Simple à piloter Plombage sans plomb ; conforme à la directive RoHS

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.