Matrice de photodiodes chip PA2100

matrice de photodiodes chip
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Caractéristiques

Spécifications
chip

Description

technologie. Les photodiodes sont passivées avec du nitrure de silicium qui agit comme une couche antireflet. Elles sont ensuite collées au circuit imprimé et protégées par une colle époxy transparente. La matrice peut être utilisée en mode photovoltaïque ou photoconducteur. Caractéristiques Disponible en quatre options différentes Longueur d'onde maximale à 830 nm Avantages Haute sensibilité Faible capacité Adapté au montage en surface (SMT) Grande fiabilité

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