Ligne de traitement pour cellule solaire InPolySide® 3+

chimique

L'InPolySide® 3+ permet une gravure supérieure de la face arrière et des bords pour les applications TOPCon. L'enveloppement du poly-Si par LPCVD et PECVD est supprimé. Avec un débit élevé et une flexibilité totale de la taille de la plaquette, cet outil est prêt pour la prochaine génération de cellules solaires. Conçu comme une solution à outil unique peu encombrante, l'InPolySide® couvre les étapes de gravure pré-oxyde, de gravure poly, de nettoyage ou de gravure sur verre et de rinçage. Aucune manipulation supplémentaire des wafers n'est nécessaire. Domaines d'application Technologie TopCon Possibilité de mise à niveau à partir de PERC Gravure d'une seule face et d'un seul bord du Poly-Si Caractéristiques et avantages Gravure sur tranche pour les cellules TopCon sans shunt Processus très variable et bien connu, adaptable aux demandes des clients : - Cellules à faible teneur en CoO - Cellules de type N - Emetteur sélectif pour tous les types de Poly-Si disponibles (PECVD, LPCVD) Procédé breveté par RENA Configuration matérielle et paramètres du procédé hautement optimisés solution à 1 outil