Ligne de traitement chimique InEtchSide 4

humidepour cellule solaire

Gravure de la face arrière de la prochaine génération à haut débit L'équipement de traitement automatisé RENA InEtchSide est conçu pour l'élimination à très haut débit des couches d'oxyde de silicium et des verres dopés (par exemple PSG ou BSG). Le procédé breveté de gravure sur une seule face, éprouvé et optimisé, garantit une attaque chimique frontale minimale. Il est utilisé dans la fabrication de concepts de cellules solaires à haut rendement, tels que IBC, PERC, TOPCon et autres. L'outil est basé sur la plateforme en ligne RENA NIAK 4. Caractéristiques et avantages Gravure chimique humide d'une seule face entièrement automatisée - en ligne sur 10-12 pistes Enlèvement d'oxyde de silicium (SiO2) et de verres dopés (PSG/BSG) sur une seule face Technologie RENA Fast Etch : traitement possible à T > RT Utilise le HF pour le traitement d'une seule face (chimie supplémentaire en option, par exemple HCl ou BHF) Rinçage et séchage intégrés des plaquettes Longue durée de vie du bain grâce à la fonction d'alimentation et de purge Taux de casse le plus bas de l'industrie Basé sur la dernière plateforme de traitement en ligne RENA NIAK 4 Temps de fonctionnement élevé Maintenance aisée Options Interface MES (SECS/GEM) Armoire à médias pour l'approvisionnement en produits chimiques Station de pompage pour l'évacuation des produits chimiques et des eaux usées Capteurs pour le contrôle du processus (par exemple, pH, conductivité) Domaines d'application Gravure de l'oxyde sur la face arrière pour les cellules solaires à haut rendement Élimination de SiO2, PSG ou BSG sur une seule face Entièrement compatible avec les technologies PERC, IBC et TOPCon