Les modules DC-DC à haute tension d'entrée de la série HiQP présentent des fonctionnalités et des caractéristiques supérieures qui les rendent adaptés aux applications haut de gamme.
Les modules de la série HiQP offrent une large plage de tension d'entrée (125 à 475 Vdc) tout en conservant une régulation étroite de la sortie avec une faible ondulation et un faible bruit.
La série HiQP dispose d'une gamme complète de protections intégrées : Surchauffe, surtension d'entrée, surtension de sortie et limite de courant de sortie.
Les modules HiQP présentent également les caractéristiques suivantes : Arrêt à distance, capacité de réglage, tension de référence intégrée et, pour une fiabilité accrue, ne pas utiliser d'optocoupleurs dans le circuit de rétroaction.
La fonction de partage de charge offre un moyen simple de fonctionnement en parallèle, permettant d'augmenter la puissance avec une redondance "N+1".
Tous les modules de la série HiQP sont équipés de filtres LC d'entrée pour réduire l'ondulation du courant réfléchi. En outre, la fonction de démarrage progressif élimine le courant d'appel d'entrée et le dépassement de la tension de sortie pendant le démarrage.
Les unités de la série HiQP sont entièrement encapsulées pour un fonctionnement robuste.
CARACTÉRISTIQUES PHYSIQUES :
Dimensions du boîtier : LxLxH : 2,5" x 1,55" x 0,5"
Poids : 75 grammes typiques
Encapsulation époxy
CARACTÉRISTIQUES :
Régulation de ligne et de charge : à partir de 1% Vout
Efficacité : Jusqu'à 90
Faible ondulation
Protection contre les surtensions d'entrée
Filtre LC d'entrée
Limitation du courant de sortie
Protection contre les surintensités de sortie : Typique 120% Vout
Arrêt thermique
Capacité de réglage : +/-15% Vout
référence embarquée 3V
Arrêt à distance
Broche de partage de charge pour fonctionnement en parallèle
isolation entrée/sortie 4242Vdc
0°C à +70°C Température de fonctionnement standard.
Plages de température de fonctionnement étendues :
-40°C à +95°C pour HiQP-I
-55°C à +95°C pour HiQP-M
Toutes les températures sont mesurées à la plaque de base
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